我有点理解楼主的意思，大致是这样的，就是说，纯硅，外面接上电压差，为啥不导电？电子为啥不能从负极进入纯硅然后继续到达正极？当然，根据高中物理，电子也没法这样动。要不然电子咋不经过空气直接穿越电容两级呢？

我看到了一个区别，就是如果P掺杂了，那么多出来的电子很自由，而整体是电中性的。这个时候如果加上电压差，电中性里面的电子容易根据电压流动。而原来纯硅是电中性的，没有自由电子，外面加了电压差，硅里面没有电子可以运动。相当于外加电压两级间如果是掺杂的硅，那么里面其实是"导体"。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 看了个小视频，说纯si形成了八电子的外层电子，电池里的电子不能进入半导体，不能穿过半导体，所以没有电流。
: 掺杂后，p外层缺一个电子，电池里电子能进去，所以能导电。
: 奇怪，p在si的包围圈里，电子怎么进去？如果能进去，为什么进不去纯si？
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感谢耐心回复。但是我还是不能明白。


【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 你总是试图用单层半导体的电导图像来理解pn结，这是不可能搞明白的。
单层半导体加电场，电子作漂移运动，电导等于nqu，图...
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pn结不同于单层材料，它在结面附近电子和空穴存在浓度梯度，因而存在互扩散，它们扩散到对方区域就会发生复合而使一个薄层内载流子被耗尽，这一层又叫耗尽层。耗尽层里没有载流子，但还有不可移动的掺杂离子，因两边电荷相反，所以形成从N区指向P区的电场，所以耗尽区又叫空间电荷区。空间电荷区的电场会阻止电子和空穴的进一步互扩散，最终达到平衡。空间电荷区给电子和空穴的运动形成了能量势垒，所以该区域又叫势垒区。所以你看，这情况比单层复杂多了。

pn结的电流简单来说可以这么理解：施加从p层指向n层的电场，在n层内电子从电极往p区方向漂移，在耗尽层边缘处，电子浓度比平衡时增加因此，向p区扩散的扩散电流增大，到达p区后继续向p层内部扩散，在一个扩散长度内它们会跟空穴复合掉。电子复合掉不是电流的终结，而是转换成了从p层向耗尽层漂移的空穴漂移电流。反过来，也可以同样描述空穴从p区漂移，扩散，以及在n区复合的过程。所以pn结的总电流等于电子电流和空穴电流的总和。
对于电子或者空穴而言，以上漂移和扩散的过程是一种串联关系。因此pn结电阻等于这几部分电阻之和。通常情况下，电子和空穴分别在n区和p区漂移的电阻很小，跟势垒区相比可以忽略，只需要讨论势垒区的电阻。势垒区载流子浓度很低，电阻很大（大于你所说的未掺杂硅）。但它的厚度随着外加正向偏压而减小，因此电阻会随电压增大而指数减小。如果外加电压大于空间电荷区的内建电势差，那么这层耗尽就消失了，整个pn结的电阻就变得很小，也就是你说的加1.5伏的情况。


【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 感谢耐心回复。但是我还是不能明白。
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: 单层半导体加电场，电子作漂移运动，电导等于nqu，图...
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你所说的pn结内没有载流子的电阻，就是加反向电压的情况，这时候电阻很大的。正向偏压情况下，如果电压小于内建电势差，电阻也是很大的。只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了，也就是所谓没有载流子的那个区域消失了。为什么会消失？因为有载流子浓度梯度导致的扩散。平衡时内建电场对抗扩散，外加正向偏压抵消内建电场，扩散就能进行了。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 模电讲得很清楚了。但是，书上没有回答我的问题：常温下si内没有自由电子，外来电子在外加电场作用下很难穿过si，即使是很薄的s；但是，pn结在不加电时，结区自由电子和空穴复合后，同样没有自由电子自由载流子，但是外来电子在很小的外加电压下就很容易地进入结区穿过结区。在某些二极管中这个结区甚至比较厚。为什么都是没有自由载流子的物质，一个电子容易过一个电子几乎过不去？
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可以翻翻固体物理书——能带
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 模电讲得很清楚了。但是，书上没有回答我的问题：常温下si内没有自由电子，外来电子在外加电场作用下很难穿过si，即使是很薄的s；但是，pn结在不加电时，结区自由电子和空穴复合后，同样没有自由电子自由载流子，但是外来电子在很小的外加电压下就很容易地进入结区穿过结区。在某些二极管中这个结区甚至比较厚。为什么都是没有自由载流子的物质，一个电子容易过一个电子几乎过不去？
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