- 主题:6纳米的光刻机,怎么做出半周期2纳米、周期4纳米的结构?
是这个意思。最后两个字改一下,光罩改成晶圆
一开始用于x纳米的光刻机,因为被制裁,买不到ASML的更先进的光刻机,怎么用这台 “x纳米”的光刻机,做出 x/2纳米的晶圆?
【 在 fzjmaster 的大作中提到: 】
: 不要抠字眼,不要欺负外行。
: 问题翻译一下:
: 一开始用于x纳米的光刻机,因为被制裁,买不到ASML的更先进的光刻机,怎么用这台 “x纳米”的光刻机,做出 x/2纳米的光罩(mask)?
: ...................
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修改:snowfields FROM 180.98.131.*
FROM 180.98.131.*
多次曝光应该就可以
【 在 snowfields 的大作中提到: 】
: 各位高知,6纳米的光刻机,怎么做出半周期2纳米,周期4纳米的结构?
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发自「今日水木 on iPhone 13 Pro Max」
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FROM 120.244.160.*
LELE应该可以,需要eda软件的配合,良率会下降。
【 在 snowfields 的大作中提到: 】
: 是这个意思。最后两个字改一下,光罩改成晶圆
: 一开始用于x纳米的光刻机,因为被制裁,买不到ASML的更先进的光刻机,怎么用这台 “x纳米”的光刻机,做出 x/2纳米的晶圆?
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FROM 223.104.40.*
用程序来分GDS,一层mask分成多层,每一层里的图形间距拉大到能做的节点,然后对原本一层的工艺做多次曝光刻蚀。
【 在 snowfields 的大作中提到: 】
: 各位高知,6纳米的光刻机,怎么做出半周期2纳米,周期4纳米的结构?
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: ※ 修改:·snowfields 于 Apr 8 11:35:45 2025 修改本文·[FROM: 49.93.212.*]
: ...................
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修改:snowfields FROM 49.93.212.*
FROM 114.254.0.*
这样在晶圆做出来的不是两层,而是多层
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 用程序来分GDS,一层mask分成多层,每一层里的图形间距拉大到能做的节点,然后对原本一层的工艺做多次曝光刻蚀。
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FROM 180.98.71.*
可以在一层上面做
【 在 snowfields 的大作中提到: 】
: 这样在晶圆做出来的不是两层,而是多层
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FROM 114.242.9.*
假设第一次在晶圆上做了600纳米凹凸凹凸凹凸的结构,第二次错位200纳米,那最左边的200纳米深度就变得会更深,这样就变成了三层
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 可以在一层上面做
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修改:snowfields FROM 180.98.71.*
FROM 180.98.71.*
你是不是不知道什么叫mask?
【 在 snowfields 的大作中提到: 】
: 假设第一次在晶圆上做了600纳米凹凸凹凸凹凸的结构,第二次错位200纳米,那最左边的200纳米深度就变得会更深,这样就变成了三层
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FROM 61.49.248.*
我一年做200张mask
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 你是不是不知道什么叫mask?
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FROM 49.90.92.*
你一年做200次的封装mask,是不是啊?
【 在 snowfields 的大作中提到: 】
: 我一年做200张mask
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FROM 61.49.248.*