谢谢科普！

我一直以为是铜的etch会更难，所以没法用铝的那种薄膜光刻刻蚀的流程，只能用光刻
刻蚀薄膜再CMP的大马士革流程；还有就是不同材料热膨胀系数的原因；

BTW：感觉铝工艺早期的时候也是会加Ti，TiN的层防止spike，而且感觉再0.35那个制程
的时候好像就已经用WCVD长W塞了，铜制程的那个中间层有什么特殊点吗？


【 在 oyangshan (null) 的大作中提到: 】
: 铜是深能级杂质，要保证整个工艺过程中铜不能和硅直接接触，难度很大，铝没这个问题
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