我也不是工艺专家哈，仅有的一点知识也是本科相关课程的一些残留记忆。只记得铜互联的隔离层除了要保证良好的电学接触，最重要的就是建立势垒防止铜扩散，隔离层应该不止一层材料，各大工艺厂的处理也有很大差异
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 谢谢科普！
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: 我一直以为是铜的etch会更难，所以没法用铝的那种薄膜光刻刻蚀的流程，只能用光刻
: 刻蚀薄膜再CMP的大马士革流程；还有就是不同材料热膨胀系数的原因；
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: BTW：感觉铝工艺早期的时候也是会加Ti，TiN的层防止spike，而且感觉再0.35那个制程
: 的时候好像就已经用WCVD长W塞了，铜制程的那个中间层有什么特殊点吗？
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