谢谢，明白了。

顺便查了一下资料：
导通电阻RDS(on)随温度变化率，碳化硅MOSFET的温升系数远小于氮化硅晶体管以及硅MOSFET，在结温100°C时相差已经达到30%和50%。假设在25°C结温时碳化硅MOSFET和氮化镓晶体管的导通电阻相同，在同一个应用电路中意味着两者的导通损耗相同，但是当两者的结温升高到100°C时，碳化硅MOSFET的导通损耗只有氮化硅晶体管的70%，这对于那些环境要求苛刻，高温下也需要保持高效率的应用场景非常具有吸引力。


【 在 quene 的大作中提到: 】
: 基本物理属性的差异。热导只是一方面。就算热导不行，SiC在高温下照常工作，而GaN 高温下就无法工作，更高温下GaN 直接热分解了。SiC没这个问题，温度高点性能下降，但温度再高也不会分解。除了热学方面，电学属性也有关系。
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