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- 主题:关于..NVME标称寿命TBW是SATA的2倍左右，八成是TLC和QLC的差别
- 【 在 beijiaoff 的大作中提到: 】
: 你看实测了吗？
通常的说法就是这样
商品ssd TLC也是标500-600次全盘写入
专业媒体才会特地去测试
前阵子看过一个ssd测试的文章
https://www.mysmth.net/nForum/#!article/CompMarket/544256535
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FROM 117.181.147.* - 这是怎么判断的呢，走不到软件能分辨这些。
【 在 shuimu0691 的大作中提到: 】
: 4T显然是QLC
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发自「今日水木 on IN2010」
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FROM 222.129.50.* - 【 在 ble 的大作中提到: 】
: 这是怎么判断的呢，走不到软件能分辨这些。
: 发自「今日水木 on IN2010」
好的自然自己标出来当卖点，不好的自然会遮遮掩掩
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FROM 117.181.49.* - 国行s4510标2500+写入
【 在 shuimu0691 的大作中提到: 】
: 好的自然自己标出来当卖点，不好的自然会遮遮掩掩
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FROM 117.128.4.* - 你说"3D加厚了损耗层"
现在一般厂商都加了多厚啊? 3D TLC是只需要厚一点点,一下TLC也能2000次以上写入啊,还是最起码也要2倍以上的厚度啊
【 在 shuimu0691 的大作中提到: 】
: 之前看的是200-300，因为3D加厚了损耗层，减缓了写入损耗
: 技术不好的100也正常
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FROM 111.192.176.* - 【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 你说"3D加厚了损耗层"
: 现在一般厂商都加了多厚啊? 3D TLC是只需要厚一点点,一下TLC也能2000次以上写入啊,还是最起码也要2倍以上的厚度啊
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可能是部分弥补了制程带来的寿命劣化而已，加倍？别想太多了
tlc已经够恶心，它们还想推qlc呢，增加的这点容量远比不上寿命急剧减小的
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FROM 111.58.163.* - 【 在 Akyrum 的大作中提到: 】
: 国行s4510标2500+写入
看起来是高制程mlc的颗粒？
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FROM 111.58.163.* - 我是说3D TLC以后每一层的存放电子的厚度是不是也要双倍厚度? 还是只需要厚一点点寿命一下就提升不少
【 在 shuimu0691 的大作中提到: 】
: 可能是部分弥补了制程带来的寿命劣化而已，加倍？别想太多了
: tlc已经够恶心，它们还想推qlc呢，增加的这点容量远比不上寿命急剧减小的
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FROM 111.192.176.* - 【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 我是说3D TLC以后每一层的存放电子的厚度是不是也要双倍厚度? 还是只需要厚一点点寿命一下就提升不少
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具体数据不知道，只是看过3D TLC比一般TLC相同制程下寿命明显提高的解释
双倍是不可能的成本大幅度提高容量却不增加，没人愿意去做的，那还不如直接做成slc了
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FROM 111.58.163.* - 你看的那个"3D TLC比一般TLC明显提高" 这明显提高大约是60%这种大级别的,还是也就30%左右中等级别
【 在 shuimu0691 的大作中提到: 】
: 具体数据不知道，只是看过3D TLC比一般TLC相同制程下寿命明显提高的解释
: 双倍是不可能的成本大幅度提高容量却不增加，没人愿意去做的，那还不如直接做成slc了
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FROM 111.192.176.*