https://www.ixueshu.com/document/e9d0c5b740fa83066e27217b29ebf1b3318947a18e7f9386.html
https://www.ixueshu.com/document/c7c50ff0aa56f70bc359f28640d167f0318947a18e7f9386.html

IGBT漏电流同样温度是 SiC的 两个数量级，
且SiC漏电流随结温近似线性增长，IGBT指数增长

IGBT关断损耗比SiC 高3-10倍
不同工况下SiC电控比IGBT效率高 1%-3.1%，而且这是全系统效率

第一篇论文里 10kw负载时两者效率是  97% vs 94%, 30kw时  94% vs 91%

您可以找一篇支持你论据的论文么

【 在 zhangxy11 (无语冷气) 的大作中提到: 】
: 你这就是个典型的误解…
: 低电流情况下sic的mosfet比IGBT压降略低，但是大电流下IGBT内阻低的多
: 另外除了你理解的内阻损耗，还有很大一部分损耗来源是器件开关过程的动态损耗，这个和工作频率相关
: ...................
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修改:withu FROM 114.241.254.*
FROM 114.241.254.*

这个说法比较偏理论，理论上相同的材料，IGBT能实现更小的通态电阻（电导调制效应嘛）。但是不同材料没有直接可比性。
目前1200V车规级SiC MOSFET，相比同电流规格的Si IGBT，在全电流范围内，SiC MOSFET内阻都是优于Si IGBT的。


【 在 zhangxy11 的大作中提到: 】
: 你这就是个典型的误解…
: 低电流情况下sic的mosfet比IGBT压降略低，但是大电流下IGBT内阻低的多
: 另外除了你理
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FROM 111.201.247.*

我上面说的相同额定电流的模块，Si总面积已经比IGBT还小了。
未来成本降下来，基本会全面替代。
1200V等级可能是最有前景的

【 在 zhangxy11 的大作中提到: 】
: 我感觉这是个电流标称的问题……
: 电流规格本身就是额定电流下功率和散热平衡的一个概念，所以其实是sic mos故意并联足够
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FROM 111.201.247.*

这也是原因之一，但四驱唐ev的电机功率也大，也跑不到200

【 在 lplr 的大作中提到: 】
: 不是因为风阻低，且电机功率大吗
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FROM 124.193.82.*

比亚迪要普遍上sic了，它的sic芯片厂扩产完了，估计很快量就起来了
【 在 LiYingReBa 的大作中提到: 】
: 除了汉和model3  
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发自「今日水木 on M2105K81AC」
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FROM 125.33.200.*